Your Shopping cart is empty.

Skip to Main Content »

FPD750SOT343

FPD750SOT343

Schrijf de eerste beoordeling van dit artikel

99 item(s) available

Beschikbaarheid: In voorraad

€ 0,99
OF

Snel Overzicht

FPD750SOT343 Hemt

FPD750SOT343

Dubbelklik op bovenstaande afbeelding om volledige foto te bekijken

Zoom Uit
Inzoomen

Meer Views

Details

FEATURES (1850MHZ):

• 0.5 dB N.F.min. • 20 dBm Output Power (P1dB)

• 16.5 dB Small-Signal Gain (SSG)

• 37 dBm Output IP3

• RoHS compliant (Directive 2002/95/EC) GENERAL DESCRIPTION:


The FPD750SOT343 is a packaged depletion mode pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT).

It utilizes a 0.25 µm x 750 µm Schottky barrier Gate.

The Filtronic 0.25µm process ensures class-leading noise performance.

The use of a small footprint plastic package allows for cost effective system implementation.

Datasheet: click here

Eigen labels

Gebruik spaties om labels te scheiden. Gebruik enkele aanhalingstekens (‘) voor woordgroepen.